1.系统需包含微纳电子器件教学套件和集成电路工艺教学套件及教学多媒体平台。 2.微纳电子器件教学套件需包含实验箱主机、USB线、T型转接头和BNC缆线,主要用于微纳电子器件实验。 ★3. 微纳电子器件教学套件实验箱主机需包含Power,Communication,Device和Environment指示灯; 需包含Test,Model,Teach和Data功能选择按钮; 需至少包含如下20个器件选择按钮:NMOS 0.18um,LDMOS,PDSOI,BJT NPN,Diode,Resistor,Capacitor,Varactor,JFET,TFT,SRAM,RO,28nmNMOS,FinFET,FDSOI,GaN,Custom-1,Custom-2,Custom-3,Custom-4; 需包含一块32乘8点阵屏;需至少包含5个器件管脚BNC接口,9个测试设备BNC接口,19个接口指示灯; 需至少包含如下3个测试环境旋钮:Temperature,Reliability&Time,Radiation。(证明材料:需提供包含上述全部内容的实验箱主机实物照片) 4.微纳电子器件教学套件需能模拟真实器件测量过程,学习器件物理和环境因素的影响;需支持选择测量曲线类型包括:I_V和C_V;需支持编写测量脚本、改变器件参数、测量数据保存;需模拟的测试仪器包括:半导体参数分析仪,包含源测量单元(SMU)和电容电压单元(LCR);需支持器件测量仪器端口相关线缆的实操连接;需模拟的测试环境包括:测量温度,测量时间(用于可靠性测试如HCI,NBTI等)及辐照剂量(用于模拟器件在空间应用的相关特性)。 5.微纳电子器件教学套件需包含微纳电子器件实验课程的实验指导书和实验答案,至少包括:1:器件测量设备及其原理;2:器件测试脚本语法分析与实验;3:二极管IV特性测量实验;4:二极管CV特性测量实验;5:BJT输入特性测量实验;6:BJT输出特性测量实验;7:半导体扩散电阻测量实验;8:JFET转移特性测量实验;9:JFET输出特性测量实验;10:JFET栅电流特性测量实验;11:TFT转移特性测量实验;12:TFT输出特性测量实验;13:半导体电容器CV测量实验;14:MOS变容器CV特性测量实验;15:180nmNMOS转移特性测量实验;16:180nmNMOS输出特性测量;17:180nmNMOS衬偏特性测量实验;18:180nmNMOS衬底电流测量;19:180nmNMOS电容特性测量实验;20:SRAM存储器测量实验;21:环形振荡器测量实验;22:FDSOI转移特性测量实验;23:FDSOI输出特性测量实验;24:PDSOI转移特性测量实验;25:PDSOI输出特性测量实验;26:PDSOI栅电容测量实验;27:PDSOI沟道电容测量实验;28:28nmNMOS转移特性测量;29:28nmNMOS输出特性测量;30:28nmNMOS栅电流特性测量;31:28nmNMOS衬底偏置特性测量;32:28nmNMOS衬底电流测;33:28nmNMOS DIBL特性测量;34:28nmNMOS电容特性测量实验;35:FinFET转移特性测量实验;36:FinFET输出特性测量实验;37:FinFET Isub和Ig特性测量实验;38:GaN转移特性测量实验;39:GaN输出特性测量实验;40:LDMOS转移特性测量实验;41:LDMOS输出特性测量实验;42:LDMOS电容特性测量实验。 6.集成电路工艺教学套件需包含实验箱主机、USB线和BNC缆线,主要用于集成电路工艺实验。 ★7.集成电路工艺教学套件需包含Power,Communication,Button和Screen指示灯;需包含Process,Layout,Teach和Test功能选择按钮;需至少包含如下8个单步工艺选择按钮:Oxidation,Deposit,Lithography,Etch,Implant,Anneal,Diffuse,Epitaxy;需至少包含如下12个器件成套工艺选择按钮:MOSFET,SOI,Diode,BJT,FinFET,Resistor,Varactor,LDMOS,JFET,GaAs,Custom,VR-Process;需包含一块可触控液晶屏输入显示区;需至少包含5个器件管脚BNC接口,10个接口指示灯。(证明材料:需提供包含上述全部内容的实验箱主机实物照片) 8.集成电路工艺教学套件需能模拟真实器件制造工艺,学习工艺参数对器件的影响,支持器件剖面结构及其组成材料的缩放;支持掺杂、电势等参数的色阶图显示;支持器件结构中各个材料的网格显示;支持器件中的掺杂、电势等参数的提取和保存;支持完整器件的成套工艺和完整工序步骤。 9.集成电路工艺教学套件需包含集成电路工艺实验课程的实验指导书和实验答案,至少包括:1:干氧氧化工艺实验;2:湿氧氧化工艺实验;3:离子注入的深度与能量关系实验;4:离子注入的剂量与掺杂浓度关系实验;5:离子注入的角度影响实验;6:扩散工艺时间对掺杂浓度的影响实验;7:扩散工艺温度对掺杂浓度的影响实验;8:二极管制造实验;9:集成电路电阻制造实验;10:MOSFET制造实验;11:变容管制造实验;12:SOI制造实验;13:FinFET制造实验;14:三极管制造实验;15:LDMOS制造实验;16:JFET制造实验;17:GaAs制造实验。 10.教学多媒体平台能够同屏播放多媒体课件等教学资源,具有多媒体音响等。 |